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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d nand

SK海力士完成對英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購

  • 據(jù)韓媒報道，根據(jù)SK海力士向韓國金融監(jiān)管機(jī)構(gòu)FSS披露的文件，該企業(yè)已完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。據(jù)了解，第一階段完成于2021年12月30日，SK海力士當(dāng)時支付了78422億韓元，從英特爾接管SSD業(yè)務(wù)及其位于中國大連NAND閃存制造廠的資產(chǎn)。而在第二階段中，SK海力士以32783億韓元（約合人民幣163億元）的對價取得了包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及大連工廠的員工在內(nèi)的其余相關(guān)有形/無形資產(chǎn)。
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AI推理應(yīng)用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

  • AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負(fù)載。 法人分析，臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)測，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達(dá)250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務(wù)器主要負(fù)責(zé)分析以及處理大量數(shù)據(jù)，而這類應(yīng)用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
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存儲市場復(fù)蘇，關(guān)鍵看AI

  • 存儲市場新一輪的逆風(fēng)，始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場已顯露出一些微妙變化。NAND 廠商，集體漲價近日，全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產(chǎn)品將全面漲價，整體漲幅超 10%，此次調(diào)價覆蓋所有渠道及消費類產(chǎn)品。閃迪還透露，將持續(xù)審查定價，后續(xù)季度或有額外漲幅。繼閃迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠商也計劃將于 4 月漲價。從供應(yīng)方面，美光今年新加坡 NAND 廠發(fā)生停電，也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠商群聯(lián)也透露，
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美光斷電減產(chǎn) NAND原廠4月提前調(diào)漲

  • NAND Flash價格由谷底翻漲正蓄勢待發(fā)，繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調(diào)漲報價，近期市場傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國的存儲廠均將從4月起提高報價。由于二大韓廠減產(chǎn)措施發(fā)酵，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導(dǎo)致NAND供貨轉(zhuǎn)趨吃緊，長江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調(diào)漲代理價格，漲幅可望將超過10%，全球各大原廠不約而同推動漲價，NAND價格回漲速度優(yōu)于原先預(yù)期。存儲器業(yè)界觀察，近期整體終端市場的需求并
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SK海力士完成與英特爾的最終交割

  • SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成，將加強(qiáng)SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用，存儲需求正在不斷增長，HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士卻沒有停止擴(kuò)張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達(dá)成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術(shù)

  • 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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NAND Flash市況 有望6月復(fù)蘇

  • NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預(yù)期，NAND Flash市況將于6月好轉(zhuǎn)，下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應(yīng)吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應(yīng)商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。他強(qiáng)調(diào)，供應(yīng)商根據(jù)市場狀況自然調(diào)節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉(zhuǎn)的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務(wù)部對出口至中國大陸的存儲器制造設(shè)備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領(lǐng)域的擴(kuò)張步伐。盡管中國大陸部分
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稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

  • 據(jù)韓媒報道，三星已確認(rèn)從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達(dá)成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預(yù)計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負(fù)責(zé)
  • 關(guān)鍵字： 三星  長江存儲  NAND  

鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達(dá)38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8G
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NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

  • 據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當(dāng)前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應(yīng)商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項目將擇機(jī)啟動

  • 日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會根據(jù)產(chǎn)線運行情況擇機(jī)啟動。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實驗進(jìn)行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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NAND價格能否“觸底反彈”？

  • 全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應(yīng)對這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進(jìn)而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產(chǎn)量。
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NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關(guān)計劃，可能長期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達(dá)成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅(qū)動：第一，需求疲軟
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3d nand介紹

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